Número de peza :
IPN60R1K0CEATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
6.8A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 130µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
13nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
280pF @ 100V
Disipación de potencia (máx.) :
5W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-SOT223
Paquete / Estuche :
SOT-223-3