Vishay Semiconductor Diodes Division - AS3BJ-M3/52T

KEY Part #: K6452929

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Número de peza:
AS3BJ-M3/52T
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA. Rectifiers 3A, 600V, Avalanche, STD, SM RECT
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS3BJ-M3/52T Atributos do produto

Número de peza : AS3BJ-M3/52T
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 600V
Actual - Media rectificada (Io) : 3A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.05V @ 3A
Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 1.5µs
Actual - Fuga inversa @ Vr : 20µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F : 40pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-214AA, SMB
Paquete de dispositivos de provedores : DO-214AA (SMB)
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 175°C

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