Toshiba Semiconductor and Storage - HN1C01FE-GR,LF

KEY Part #: K6391834

HN1C01FE-GR,LF Prezos (USD) [1436579unidades de stock]

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Número de peza:
HN1C01FE-GR,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Unión programable, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - JFETs and Módulos de controlador de enerxía ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE-GR,LF electronic components. HN1C01FE-GR,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HN1C01FE-GR,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HN1C01FE-GR,LF Atributos do produto

Número de peza : HN1C01FE-GR,LF
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de transistor : 2 NPN (Dual)
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 150mA
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 50V
Vce Saturación (Max) @ Ib, Ic : 250mV @ 10mA, 100mA
Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 100nA (ICBO)
Ganancia de corrente continua (hFE) (min) @ ic, Vce : 200 @ 2mA, 6V
Potencia: máx : 100mW
Frecuencia - Transición : 80MHz
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivos de provedores : ES6

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