Vishay Semiconductor Diodes Division - ES1BHE3_A/H

KEY Part #: K6452660

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Número de peza:
ES1BHE3_A/H
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 100 Volt 30 Amp IFSM
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES1BHE3_A/H Atributos do produto

Número de peza : ES1BHE3_A/H
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 100V
Actual - Media rectificada (Io) : 1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 920mV @ 1A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 25ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-214AC, SMA
Paquete de dispositivos de provedores : DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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