Diodes Incorporated - DMT6005LFG-7

KEY Part #: K6393844

DMT6005LFG-7 Prezos (USD) [210942unidades de stock]

  • 1 pcs$0.17534

Número de peza:
DMT6005LFG-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrición detallada:
MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Unión programable, Tiristores: TRIAC, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - JFETs ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Diodes Incorporated DMT6005LFG-7 electronic components. DMT6005LFG-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT6005LFG-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT6005LFG-7 Atributos do produto

Número de peza : DMT6005LFG-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrición : MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 18A (Ta), 100A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 48.7nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 3150pF @ 30V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1.98W (Ta), 62.5W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PowerDI3333-8
Paquete / Estuche : 8-PowerVDFN

Tamén pode estar interesado