GeneSiC Semiconductor - GB10SLT12-252

KEY Part #: K6454697

GB10SLT12-252 Prezos (USD) [15875unidades de stock]

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Número de peza:
GB10SLT12-252
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrición detallada:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V - 10A SiC Schottky Rect.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB10SLT12-252 Atributos do produto

Número de peza : GB10SLT12-252
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrición : DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
Serie : -
Estado da parte : Not For New Designs
Tipo de diodo : Silicon Carbide Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 1200V
Actual - Media rectificada (Io) : 10A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 2V @ 10A
Velocidade : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 0ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 250µA @ 1200V
Capacitancia @ Vr, F : 520pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivos de provedores : TO-252
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 175°C
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