DDB6U85N16LHOSA1 Prezos (USD) [857unidades de stock]
- 1 pcs$54.21469
- Número de peza:
- DDB6U85N16LHOSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- IGBT MODULE 1600V 60A.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Módulos de controlador de enerxía ...
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DDB6U85N16LHOSA1 Atributos do produto
Número de peza :
DDB6U85N16LHOSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
IGBT MODULE 1600V 60A
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Configuración do diodo :
3 Independent
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
1600V
Actual - Media rectificada (Io) (por diodo) :
60A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.44V @ 100A
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
5mA @ 1600V
Temperatura de funcionamento: unión :
150°C (Max)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
AG-ISOPACK-1
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