BSZ180P03NS3GATMA1 Prezos (USD) [365089unidades de stock]
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- Número de peza:
- BSZ180P03NS3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - RF, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Zener - Arrays and Tiristores - SCRs - Módulos ...
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BSZ180P03NS3GATMA1 Atributos do produto
Número de peza :
BSZ180P03NS3GATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9A (Ta), 39.6A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.1V @ 48µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2220pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.1W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TSDSON-8
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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