Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Inicio
  2. Produtos
  3. Circuítos Integrados (ICs)
  4. Memoria
  5. AS6C4016-55BIN

Alliance Memory, Inc. - AS6C4016-55BIN

KEY Part #: K940250

AS6C4016-55BIN Prezos (USD) [28752unidades de stock]

  • 1 pcs$1.60177
  • 480 pcs$1.59380
Número de peza:
AS6C4016-55BIN
Fabricante:
Alliance Memory, Inc.
Descrición detallada:
IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA. SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 256K x 16 Asyn SRAM
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Reloxo / cronometraxe - Especificación da aplicaci, Adquisición de datos: potenciómetros dixitais, Reloxo / Temporalización - Baterías IC, Memoria - Baterías, PMIC - Controladores LED, Memoria: controladores, Incrustado: Módulos de Microcontrolador, Microproc and PMIC - Xestión da batería ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS6C4016-55BIN electronic components. AS6C4016-55BIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS6C4016-55BIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS6C4016-55BIN Atributos do produto

Número de peza : AS6C4016-55BIN
Fabricante : Alliance Memory, Inc.
Descrición : IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : SRAM
Tecnoloxía : SRAM - Asynchronous
Tamaño da memoria : 4Mb (256K x 16)
Frecuencia do reloxo : -
Cycle Time - Word, páx : 55ns
Tempo de acceso : 55ns
Interface de memoria : Parallel
Tensión - subministración : 2.7V ~ 5.5V
Temperatura de operación : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 48-LFBGA
Paquete de dispositivos de provedores : 48-TFBGA (6x8)

Últimas novas

Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs
Alliance Memory Low Power CMOS SRAM
Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM
Tamén pode estar interesado
  • CY7C199D-25SXET

    Cypress Semiconductor Corp

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256 KB, 5.50 V 25 ns Async Fast SRAMs

  • 6116LA25SOG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • 6116SA25TPG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • W94AD2KBJX5E TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz T&R

  • W632GG8MB-15

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 667MHz

  • W632GG8MB-11

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 933MHz

Pezas quentes