Número de peza :
RN1130MFV,L3F
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Tipo de transistor :
NPN - Pre-Biased
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
100mA
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
50V
Resistor - Base (R1) :
100 kOhms
Resistor - Base do emisor (R2) :
100 kOhms
Ganancia de corrente continua (hFE) (min) @ ic, Vce :
100 @ 10mA, 5V
Vce Saturación (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 5mA
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
500nA
Frecuencia - Transición :
250MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SOT-723
Paquete de dispositivos de provedores :
VESM