ON Semiconductor - FQB7N60TM

KEY Part #: K6392691

FQB7N60TM Prezos (USD) [75712unidades de stock]

  • 1 pcs$0.51644
  • 800 pcs$0.50140

Número de peza:
FQB7N60TM
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in ON Semiconductor FQB7N60TM electronic components. FQB7N60TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB7N60TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQB7N60TM Atributos do produto

Número de peza : FQB7N60TM
Fabricante : ON Semiconductor
Descrición : MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
Serie : QFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 7.4A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1430pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Tamén pode estar interesado