Número de peza :
DMN2600UFB-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
25V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1.3A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
350 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
0.85nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
70.13pF @ 15V
Disipación de potencia (máx.) :
540mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
3-DFN1006 (1.0x0.6)
Paquete / Estuche :
3-UFDFN