DMN2600UFB-7 Prezos (USD) [1317573unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMN2600UFB-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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DMN2600UFB-7 Atributos do produto
Número de peza :
DMN2600UFB-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
25V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1.3A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
350 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
0.85nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
70.13pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
540mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
3-DFN1006 (1.0x0.6)
Paquete / Estuche :
3-UFDFN
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