IXTP08N100D2 Prezos (USD) [56000unidades de stock]
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- Número de peza:
- IXTP08N100D2
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Arrays, Módulos de controlador de enerxía and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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IXTP08N100D2 Atributos do produto
Número de peza :
IXTP08N100D2
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
800mA (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
14.6nC @ 5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
325pF @ 25V
Función FET :
Depletion Mode
Disipación de potencia (máx.) :
60W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220AB
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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