DMT3009LDT-7 Prezos (USD) [210942unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMT3009LDT-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos: rectificadores de ponte and Transistores - IGBTs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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DMT3009LDT-7 Atributos do produto
Número de peza :
DMT3009LDT-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.1 mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
20nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1500pF @ 15V
Potencia: máx :
1.2W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-VDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivos de provedores :
V-DFN3030-8 (Type K)
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