Toshiba Semiconductor and Storage - 1SS387,L3F

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Número de peza:
1SS387,L3F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1SS387,L3F Atributos do produto

Número de peza : 1SS387,L3F
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 80V
Actual - Media rectificada (Io) : 100mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.2V @ 100mA
Velocidade : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de recuperación inversa (trr) : 4ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 500nA @ 80V
Capacitancia @ Vr, F : 3pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : SC-79, SOD-523
Paquete de dispositivos de provedores : ESC
Temperatura de funcionamento: unión : 125°C (Max)

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