Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-6ESH06HM3/86A

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Número de peza:
VS-6ESH06HM3/86A
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 6A 600V AEC-Q101
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-6ESH06HM3/86A Atributos do produto

Número de peza : VS-6ESH06HM3/86A
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A
Serie : Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 600V
Actual - Media rectificada (Io) : 6A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.8V @ 6A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 40ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-277, 3-PowerDFN
Paquete de dispositivos de provedores : TO-277A (SMPC)
Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 175°C

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