Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10J-M3/TR

KEY Part #: K6439626

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Número de peza:
BYG10J-M3/TR
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE AVALANCHE 600V 1.5A. Rectifiers 1.5A,600V VGSC-STD Avalanche SMD
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG10J-M3/TR Atributos do produto

Número de peza : BYG10J-M3/TR
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Avalanche
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 600V
Actual - Media rectificada (Io) : 1.5A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.15V @ 1.5A
Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 4µs
Actual - Fuga inversa @ Vr : 1µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-214AC, SMA
Paquete de dispositivos de provedores : DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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