Número de peza :
NGTD8R65F2SWK
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
DIODE GEN PURP 650V DIE
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
650V
Actual - Media rectificada (Io) :
-
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
2.8V @ 30A
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
1µA @ 650V
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
Die
Temperatura de funcionamento: unión :
175°C (Max)