TRS8E65C,S1Q Prezos (USD) [12497unidades de stock]
- 1 pcs$4.22191
- Número de peza:
- TRS8E65C,S1Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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TRS8E65C,S1Q Atributos do produto
Número de peza :
TRS8E65C,S1Q
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Silicon Carbide Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
650V
Actual - Media rectificada (Io) :
8A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.7V @ 8A
Velocidade :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
0ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
90µA @ 650V
Capacitancia @ Vr, F :
44pF @ 650V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-220-2
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220-2L
Temperatura de funcionamento: unión :
175°C (Max)
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