Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10DHE3_A/I

KEY Part #: K6439814

BYG10DHE3_A/I Prezos (USD) [618118unidades de stock]

  • 1 pcs$0.05984
  • 7,500 pcs$0.05471

Número de peza:
BYG10DHE3_A/I
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE AVALANCHE 200V 1.5A DO214. Rectifiers 1.5A,200V,STD,AVAL AEC-Q101 Qualified
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: TRIAC, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10DHE3_A/I electronic components. BYG10DHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG10DHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG10DHE3_A/I Atributos do produto

Número de peza : BYG10DHE3_A/I
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE AVALANCHE 200V 1.5A DO214
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Avalanche
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 200V
Actual - Media rectificada (Io) : 1.5A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.15V @ 1.5A
Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 4µs
Actual - Fuga inversa @ Vr : 1µA @ 200V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-214AC, SMA
Paquete de dispositivos de provedores : DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

Tamén pode estar interesado
  • BAS19

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA

  • MMBD4448

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast

  • BAV20W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM

  • 1N4148W-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns

  • SD103AW-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM AUTO

  • SD101AW-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60Volt 2A IFSM