Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG23M-E3/TR3

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Número de peza:
BYG23M-E3/TR3
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A. Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG23M-E3/TR3 Atributos do produto

Número de peza : BYG23M-E3/TR3
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Avalanche
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 1000V
Actual - Media rectificada (Io) : 1.5A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.7V @ 1A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 75ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 1000V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-214AC, SMA
Paquete de dispositivos de provedores : DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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