Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Inicio
  2. Produtos
  3. Circuítos Integrados (ICs)
  4. Memoria
  5. W947D6HBHX5E

Winbond Electronics - W947D6HBHX5E

KEY Part #: K941219

W947D6HBHX5E Prezos (USD) [34892unidades de stock]

  • 1 pcs$1.47634
Número de peza:
W947D6HBHX5E
Fabricante:
Winbond Electronics
Descrición detallada:
IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 128M mDDR, x16, 200MHz
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: PMIC - Xestión térmica, Reloxo / Temporalización - Liñas de atraso, Interface - Telecom, Memoria - Baterías, Adquisición de datos: conversores analóxicos a dix, Lóxica - Comparadores, Lineal - Amplificadores - Audio and Memoria: controladores ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Winbond Electronics W947D6HBHX5E electronic components. W947D6HBHX5E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W947D6HBHX5E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W947D6HBHX5E Atributos do produto

Número de peza : W947D6HBHX5E
Fabricante : Winbond Electronics
Descrición : IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnoloxía : SDRAM - Mobile LPDDR
Tamaño da memoria : 128Mb (8M x 16)
Frecuencia do reloxo : 200MHz
Cycle Time - Word, páx : 15ns
Tempo de acceso : 5ns
Interface de memoria : Parallel
Tensión - subministración : 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de operación : -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 60-TFBGA
Paquete de dispositivos de provedores : 60-VFBGA (8x9)

Últimas novas

Winbond NOR Product Portfolio
Winbond DRAM Product Portfolio
Tamén pode estar interesado
  • NDS73PT9-16ET

    Insignis Technology Corporation

    IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 86TSOP.

  • IS25WP128-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON.

  • W25Q256JVEIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W25Q256JVEIM

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector, DTR

  • 25AA1024T-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128kx8 - 1.8V

  • 25LC1024T-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

Pezas quentes