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- Número de peza:
- IRFB4233PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 230V 56A TO-220AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Zener - Single, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFB4233PBF electronic components. IRFB4233PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB4233PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFB4233PBF Atributos do produto
Número de peza :
IRFB4233PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 230V 56A TO-220AB
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
230V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
56A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
37 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
170nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
5510pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
370W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220AB
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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