Micron Technology Inc. - EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR

KEY Part #: K938479

EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR Prezos (USD) [20632unidades de stock]

  • 1 pcs$2.22088
  • 1,000 pcs$2.02108

Número de peza:
EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR
Fabricante:
Micron Technology Inc.
Descrición detallada:
IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Interface: Buffers de sinal, repetidores, divisore, PMIC - Condutores completos e de media ponte, Adquisición de datos: controladores de pantalla tá, Lineal: procesamento de vídeos, Reloxo / cronometraxe - Especificación da aplicaci, Lineal - Amplificadores - Audio, PMIC - Reguladores de tensión - Reguladores de con and Interface - Terminadores de sinal ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR electronic components. EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR Atributos do produto

Número de peza : EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR
Fabricante : Micron Technology Inc.
Descrición : IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnoloxía : SDRAM - Mobile LPDDR2
Tamaño da memoria : 1Gb (32M x 32)
Frecuencia do reloxo : 533MHz
Cycle Time - Word, páx : -
Tempo de acceso : -
Interface de memoria : Parallel
Tensión - subministración : 1.14V ~ 1.95V
Temperatura de operación : -40°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 134-VFBGA
Paquete de dispositivos de provedores : 134-VFBGA (10x11.5)

Tamén pode estar interesado
  • AT28HC64BF-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP

  • IS61LP6436A-133TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx36 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61LP6432A-133TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61LF6436A-8.5TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx36 8.5ns Sync SRAM 3.3v

  • IS61NLP6432A-200TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 200Mhz Sync SRAM 3.3v

  • W9812G2KB-6I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,