ON Semiconductor - FQA13N80-F109

KEY Part #: K6398642

FQA13N80-F109 Prezos (USD) [15181unidades de stock]

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Número de peza:
FQA13N80-F109
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQA13N80-F109 Atributos do produto

Número de peza : FQA13N80-F109
Fabricante : ON Semiconductor
Descrición : MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
Serie : QFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 12.6A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 88nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 3500pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 300W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-3PN
Paquete / Estuche : TO-3P-3, SC-65-3

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