Número de peza :
TPH5900CNH,L1Q
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
150V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
59 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 200µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
600pF @ 75V
Disipación de potencia (máx.) :
1.6W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SOP Advance (5x5)
Paquete / Estuche :
8-PowerVDFN