Toshiba Semiconductor and Storage - TPH5900CNH,L1Q

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TPH5900CNH,L1Q Prezos (USD) [185557unidades de stock]

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Número de peza:
TPH5900CNH,L1Q
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Arrays and Diodos - Zener - Single ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH5900CNH,L1Q Atributos do produto

Número de peza : TPH5900CNH,L1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
Serie : U-MOSVIII-H
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 150V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 9A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 59 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 200µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 7nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 600pF @ 75V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 8-SOP Advance (5x5)
Paquete / Estuche : 8-PowerVDFN

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