ON Semiconductor - FDPF39N20

KEY Part #: K6403885

FDPF39N20 Prezos (USD) [39294unidades de stock]

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Número de peza:
FDPF39N20
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 200V 39A TO-220F.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDPF39N20 Atributos do produto

Número de peza : FDPF39N20
Fabricante : ON Semiconductor
Descrición : MOSFET N-CH 200V 39A TO-220F
Serie : UniFET™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 39A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 66 mOhm @ 19.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 49nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2130pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 37W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220F
Paquete / Estuche : TO-220-3 Full Pack

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