EPC - EPC2012

KEY Part #: K6406610

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Número de peza : EPC2012

Fabricante : EPC

Descrición : GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE

Serie : eGaN®

Estado da parte : Discontinued at Digi-Key

Tipo FET : N-Channel

Tecnoloxía : GaNFET (Gallium Nitride)

Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 200V

Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 3A (Ta)

Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 3A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 1.8nC @ 5V

Vgs (máximo) : +6V, -5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 145pF @ 100V

Función FET : -

Disipación de potencia (máx.) : -

Temperatura de operación : -40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo de montaxe : Surface Mount

Paquete de dispositivos de provedores : Die

Paquete / Estuche : Die

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