Toshiba Semiconductor and Storage - CRG04(TE85L,Q,M)

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CRG04(TE85L,Q,M) Prezos (USD) [1018752unidades de stock]

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Número de peza:
CRG04(TE85L,Q,M)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 600V 1A SFLAT. Rectifiers 600V Vrrm 1.0A IF 50Hz 1.1V Vfm REC
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CRG04(TE85L,Q,M) Atributos do produto

Número de peza : CRG04(TE85L,Q,M)
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : DIODE GEN PURP 600V 1A SFLAT
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 600V
Actual - Media rectificada (Io) : 1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.1V @ 1A
Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : SOD-123F
Paquete de dispositivos de provedores : S-FLAT (1.6x3.5)
Temperatura de funcionamento: unión : -40°C ~ 150°C

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