ON Semiconductor - MBR8H100MFST3G

KEY Part #: K6440644

MBR8H100MFST3G Prezos (USD) [452931unidades de stock]

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Número de peza:
MBR8H100MFST3G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrición detallada:
DIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFN. Schottky Diodes & Rectifiers 8.0 A, 100 V SCHOTTKY DIO
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - RF, Transistores - JFETs, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR8H100MFST3G Atributos do produto

Número de peza : MBR8H100MFST3G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrición : DIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFN
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 100V
Actual - Media rectificada (Io) : 8A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 900mV @ 8A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 2µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 8-PowerTDFN, 5 Leads
Paquete de dispositivos de provedores : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 175°C

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