[163unidades de stock]
- Número de peza:
- IPSH4N03LA G
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 25V 90A IPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPSH4N03LA G electronic components. IPSH4N03LA G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPSH4N03LA G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPSH4N03LA G Atributos do produto
Número de peza :
IPSH4N03LA G
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 25V 90A IPAK
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
25V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
90A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.4 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 40µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
26nC @ 5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3200pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
94W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO251-3
Paquete / Estuche :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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