ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16320D-3DBI

KEY Part #: K936847

IS43DR16320D-3DBI Prezos (USD) [15181unidades de stock]

  • 1 pcs$3.61138
  • 209 pcs$3.59341

Número de peza:
IS43DR16320D-3DBI
Fabricante:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descrición detallada:
IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 32M x 16 DDR2
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: PMIC - Xestión térmica, Incrustado: CPLDs (Dispositivos lóxicos programabl, Interface: Buffers de sinal, repetidores, divisore, Interface - Telecom, Lóxica - Portas e Inversores: multifunción, config, Adquisición de datos: convertedores dixitais a ana, PMIC - Xestión da batería and Lóxica - Comparadores ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-3DBI electronic components. IS43DR16320D-3DBI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR16320D-3DBI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR16320D-3DBI Atributos do produto

Número de peza : IS43DR16320D-3DBI
Fabricante : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descrición : IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnoloxía : SDRAM - DDR2
Tamaño da memoria : 512Mb (32M x 16)
Frecuencia do reloxo : 333MHz
Cycle Time - Word, páx : 15ns
Tempo de acceso : 450ps
Interface de memoria : Parallel
Tensión - subministración : 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de operación : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 84-TFBGA
Paquete de dispositivos de provedores : 84-TWBGA (8x12.5)

Tamén pode estar interesado
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16