ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R16320E-6BL-TR

KEY Part #: K937721

IS43R16320E-6BL-TR Prezos (USD) [17855unidades de stock]

  • 1 pcs$2.56644

Número de peza:
IS43R16320E-6BL-TR
Fabricante:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descrición detallada:
IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ. DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: PMIC - Xestión da batería, Lóxica: xeradores e verificadores de paridade, Reloxo / Temporalización - Liñas de atraso, Conversores de PMIC - RMS a DC, Incrustado: Microcontroladores, Interface - Telecom, PMIC - Iluminación, controladores de lastre and PMIC - Contador de enerxía ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-6BL-TR electronic components. IS43R16320E-6BL-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43R16320E-6BL-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43R16320E-6BL-TR Atributos do produto

Número de peza : IS43R16320E-6BL-TR
Fabricante : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descrición : IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnoloxía : SDRAM - DDR
Tamaño da memoria : 512Mb (32M x 16)
Frecuencia do reloxo : 166MHz
Cycle Time - Word, páx : 15ns
Tempo de acceso : 700ps
Interface de memoria : Parallel
Tensión - subministración : 2.3V ~ 2.7V
Temperatura de operación : 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 60-TFBGA
Paquete de dispositivos de provedores : 60-TFBGA (13x8)

Tamén pode estar interesado
  • 71V25761S166PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W9812G2KB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • W9825G2JB-75

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz,

  • W9825G2JB-6

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

  • W97AH2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C