IXDI602SITR Prezos (USD) [111629unidades de stock]
- 1 pcs$0.41098
- 2,000 pcs$0.40894
- Número de peza:
- IXDI602SITR
- Fabricante:
- IXYS Integrated Circuits Division
- Descrición detallada:
- 2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT. Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Reloxo / cronometraxe - Buffers do reloxo, control, Incrustado: sistema en chip (SoC), Interface - Síntese dixital directa (DDS), Memoria, Interface - Interruptores analóxicos - Finalidade , PMIC - Reguladores de tensión - Controladores de c, PMIC - Iluminación, controladores de lastre and Reloxo / Temporalización - Liñas de atraso ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in IXYS Integrated Circuits Division IXDI602SITR electronic components. IXDI602SITR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXDI602SITR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXDI602SITR Atributos do produto
Número de peza :
IXDI602SITR
Fabricante :
IXYS Integrated Circuits Division
Descrición :
2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Configuración conducida :
Low-Side
Tipo de canle :
Independent
Número de condutores :
2
Tipo de porta :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensión - subministración :
4.5V ~ 35V
Tensión lóxica - VIL, VIH :
0.8V, 3V
Actual - Saída máxima (fonte, afundimento) :
2A, 2A
Tipo de entrada :
Inverting
Tensión lateral elevada: máx. :
-
Tempo de subida / caída (típico) :
7.5ns, 6.5ns
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SOIC-EP
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