Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Inicio
  2. Produtos
  3. Circuítos Integrados (ICs)
  4. Memoria
  5. W987D6HBGX7E TR

Winbond Electronics - W987D6HBGX7E TR

KEY Part #: K942568

W987D6HBGX7E TR Prezos (USD) [49022unidades de stock]

  • 1 pcs$0.99613
  • 2,500 pcs$0.99118
Número de peza:
W987D6HBGX7E TR
Fabricante:
Winbond Electronics
Descrición detallada:
IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA. DRAM 128M mSDR, x16, 133MHz, 65nm T&R
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Lineal - Amplificadores - Instrumentación, amplifi, PMIC - Cargadores de baterías, PMIC - Reguladores de tensión - Finalidade especia, PMIC - Regulamento / xestión actual, Propósito especial do audio, PMIC - Referencia de tensión, PMIC - Interruptores de distribución de enerxía, c and Interface: gravación e reprodución de voz ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Winbond Electronics W987D6HBGX7E TR electronic components. W987D6HBGX7E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W987D6HBGX7E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W987D6HBGX7E TR Atributos do produto

Número de peza : W987D6HBGX7E TR
Fabricante : Winbond Electronics
Descrición : IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
Serie : -
Estado da parte : Not For New Designs
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnoloxía : SDRAM - Mobile LPSDR
Tamaño da memoria : 128Mb (8M x 16)
Frecuencia do reloxo : 133MHz
Cycle Time - Word, páx : 15ns
Tempo de acceso : 5.4ns
Interface de memoria : Parallel
Tensión - subministración : 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de operación : -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 54-TFBGA
Paquete de dispositivos de provedores : 54-VFBGA (8x9)

Últimas novas

Winbond NOR Product Portfolio
Winbond DRAM Product Portfolio
Tamén pode estar interesado
  • IS25WP064A-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 64Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • IS25WP032A-JKLE-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ WSON. NOR Flash 32Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS, T&R

  • 25LC512-E/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 512K SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 512k 64KX8 2.5V SER EE EXT

  • 602-10001

    Parallax Inc.

    IC EEPROM 512K I2C 1MHZ.

  • W25Q128FWSIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC. NOR Flash spiFlash, 128M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • IS25WP032A-JBLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOP.

Pezas quentes