ES3B-E3/57T Prezos (USD) [318848unidades de stock]
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- 1,700 pcs$0.07744
- 2,550 pcs$0.07061
- 5,950 pcs$0.06606
- 21,250 pcs$0.06150
- Número de peza:
- ES3B-E3/57T
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB. Rectifiers 3.0 Amp 100V 20ns
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - JFETs ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES3B-E3/57T electronic components. ES3B-E3/57T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES3B-E3/57T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ES3B-E3/57T Atributos do produto
Número de peza :
ES3B-E3/57T
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
100V
Actual - Media rectificada (Io) :
3A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
900mV @ 3A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
30ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F :
45pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-214AB, SMC
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
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