Número de peza :
1N6081US
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
150V
Actual - Media rectificada (Io) :
2A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.5V @ 37.7A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
30ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 150V
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SQ-MELF, G
Paquete de dispositivos de provedores :
G-MELF (D-5C)
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 155°C