Número de peza :
IXT-1-1N100S1-TR
Descrición :
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1.5A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
-
Disipación de potencia (máx.) :
-
Temperatura de operación :
-
Paquete de dispositivos de provedores :
-