RQ3E100BNTB Prezos (USD) [871993unidades de stock]
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- Número de peza:
- RQ3E100BNTB
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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- Ventaxa competitiva:
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RQ3E100BNTB Atributos do produto
Número de peza :
RQ3E100BNTB
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
10A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
22nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1100pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2W (Ta)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Estuche :
8-PowerVDFN
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