Número de peza :
GSID200A120S3B1
Fabricante :
Global Power Technologies Group
Descrición :
SILICON IGBT MODULES
Configuración :
2 Independent
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
400A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 200A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
20nF @ 25V
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
D-3 Module
Paquete de dispositivos de provedores :
D3