Taiwan Semiconductor Corporation - GPA803HC0G

KEY Part #: K6429770

GPA803HC0G Prezos (USD) [366462unidades de stock]

  • 1 pcs$0.10093

Número de peza:
GPA803HC0G
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores: TRIAC, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - Unión programable ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GPA803HC0G Atributos do produto

Número de peza : GPA803HC0G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición : DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 200V
Actual - Media rectificada (Io) : 8A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.1V @ 8A
Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 200V
Capacitancia @ Vr, F : 50pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : TO-220-2
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220AC
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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