Número de peza :
MBR600200CT
Fabricante :
GeneSiC Semiconductor
Descrición :
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
Configuración do diodo :
1 Pair Common Cathode
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
200V
Actual - Media rectificada (Io) (por diodo) :
300A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
920mV @ 300A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
3mA @ 200V
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Twin Tower
Paquete de dispositivos de provedores :
Twin Tower