Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-10ETF04STRRPBF

KEY Part #: K6443068

VS-10ETF04STRRPBF Prezos (USD) [2918unidades de stock]

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Número de peza:
VS-10ETF04STRRPBF
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 400V 10A TO263AB.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - Finalidade especial ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-10ETF04STRRPBF Atributos do produto

Número de peza : VS-10ETF04STRRPBF
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 400V 10A TO263AB
Serie : -
Estado da parte : Discontinued at Digi-Key
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 400V
Actual - Media rectificada (Io) : 10A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.2V @ 10A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 200ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 100µA @ 200V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivos de provedores : TO-263AB (D²PAK)
Temperatura de funcionamento: unión : -40°C ~ 150°C

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