Fabricante :
GeneSiC Semiconductor
Descrición :
DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
100V
Actual - Media rectificada (Io) :
12A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.1V @ 12A
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 50V
Tipo de montaxe :
Chassis, Stud Mount
Paquete / Estuche :
DO-203AA, DO-4, Stud
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-4
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 200°C