GeneSiC Semiconductor - 1N1200A

KEY Part #: K6440743

1N1200A Prezos (USD) [14126unidades de stock]

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Número de peza:
1N1200A
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 100V 12A DO4. Rectifiers 100V 12A Std. Recovery
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Zener - Single, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N1200A electronic components. 1N1200A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N1200A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N1200A Atributos do produto

Número de peza : 1N1200A
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrición : DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 100V
Actual - Media rectificada (Io) : 12A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.1V @ 12A
Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 50V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Chassis, Stud Mount
Paquete / Estuche : DO-203AA, DO-4, Stud
Paquete de dispositivos de provedores : DO-4
Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 200°C
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