AUIRF7343QTR Prezos (USD) [111089unidades de stock]
- 1 pcs$0.33295
- 4,000 pcs$0.30541
- Número de peza:
- AUIRF7343QTR
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - RF, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Zener - Single, Transistores - JFETs and Módulos de controlador de enerxía ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies AUIRF7343QTR electronic components. AUIRF7343QTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRF7343QTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AUIRF7343QTR Atributos do produto
Número de peza :
AUIRF7343QTR
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N and P-Channel
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
55V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4.7A, 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
36nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
740pF @ 25V
Potencia: máx :
2W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
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