DMTH6016LFDFW-13 Prezos (USD) [320707unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMTH6016LFDFW-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET BVDSS 41V-60V U-DFN2020-.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMTH6016LFDFW-13 electronic components. DMTH6016LFDFW-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH6016LFDFW-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMTH6016LFDFW-13 Atributos do produto
Número de peza :
DMTH6016LFDFW-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET BVDSS 41V-60V U-DFN2020-
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9.4A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
15.3nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
925pF @ 30V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.06W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
U-DFN2020-6
Paquete / Estuche :
6-UDFN Exposed Pad
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