Microsemi Corporation - JAN1N4988CUS

KEY Part #: K6479712

JAN1N4988CUS Prezos (USD) [3027unidades de stock]

  • 1 pcs$14.31087
  • 100 pcs$9.63039

Número de peza:
JAN1N4988CUS
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrición detallada:
DIODE ZENER 180V 5W D5B. Zener Diodes Zener Diodes
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unión programable, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N4988CUS electronic components. JAN1N4988CUS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N4988CUS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4988CUS Atributos do produto

Número de peza : JAN1N4988CUS
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrición : DIODE ZENER 180V 5W D5B
Serie : Military, MIL-PRF-19500/356
Estado da parte : Active
Tensión - Zener (Nom) (Vz) : 180V
Tolerancia : ±2%
Potencia: máx : 5W
Impedancia (máx) (Zzt) : 450 Ohms
Actual - Fuga inversa @ Vr : 2µA @ 136.8V
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.5V @ 1A
Temperatura de operación : -65°C ~ 175°C
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : E-MELF
Paquete de dispositivos de provedores : D-5B

Tamén pode estar interesado
  • BAW156E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA