GeneSiC Semiconductor - MBRT600200R

KEY Part #: K6472105

MBRT600200R Prezos (USD) [755unidades de stock]

  • 1 pcs$45.89653
  • 10 pcs$40.09259
  • 25 pcs$38.22151

Número de peza:
MBRT600200R
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrición detallada:
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 200V 600A Reverse
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Finalidade especial, Diodos: rectificadores de ponte, Módulos de controlador de enerxía, Tiristores: SCRs, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - RF and Transistores - JFETs ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBRT600200R Atributos do produto

Número de peza : MBRT600200R
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrición : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER
Serie : -
Estado da parte : Active
Configuración do diodo : 1 Pair Common Anode
Tipo de diodo : Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 200V
Actual - Media rectificada (Io) (por diodo) : 300A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 920mV @ 300A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 1mA @ 200V
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : Three Tower
Paquete de dispositivos de provedores : Three Tower
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