Número de peza :
US1B R3G
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
100V
Actual - Media rectificada (Io) :
1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1V @ 1A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
50ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
5µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-214AC, SMA
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C