APT25GP120BDQ1G Prezos (USD) [6830unidades de stock]
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- 10 pcs$5.48451
- 25 pcs$5.07316
- 100 pcs$4.66186
- 250 pcs$4.25050
- 500 pcs$3.97628
- Número de peza:
- APT25GP120BDQ1G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- IGBT 1200V 69A 417W TO247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de controlador de enerxía, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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APT25GP120BDQ1G Atributos do produto
Número de peza :
APT25GP120BDQ1G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
IGBT 1200V 69A 417W TO247
Serie :
POWER MOS 7®
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
PT
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
69A
Actual - Coleccionista pulsado (Icm) :
90A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
3.9V @ 15V, 25A
Potencia: máx :
417W
Enerxía de conmutación :
500µJ (on), 440µJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga de porta :
110nC
Td (activado / apagado) a 25 ° C :
12ns/70ns
Condición da proba :
600V, 25A, 5 Ohm, 15V
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-247-3
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247 [B]
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